Identifying the dominant carrier of CdSe-based blue quantum dot light-emitting diode

量子点 光电子学 发光二极管 二极管 激子 电子 材料科学 电容 介电谱 物理 电极 凝聚态物理 量子力学 电化学
作者
Xiangwei Qu,Guohong Xiang,Jingrui Ma,Pai Liu,Aung Ko Ko Kyaw,Kai Wang,Xiao Wei Sun
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:122 (11) 被引量:3
标识
DOI:10.1063/5.0142735
摘要

Unlike red and green quantum dot light-emitting diodes (QLEDs), it is not clear whether a blue QLED is an electron-dominated device. In this work, we identify that electron is over-injected in blue QLEDs by impedance spectroscopy. By analyzing the capacitance–voltage characteristics of the single-carrier devices, we find that the built-in voltage of the electron-only device is smaller than that of the hole-only device. Therefore, electron injection is more efficient than hole injection in blue QLEDs. To support our arguments, we employ a red QD as a fluorescent sensor to spatially investigate the exciton recombination zone of a blue QLED. Consequently, we observe that the exciton recombination zone of the blue QLED is close to the hole transport layer, and it shifts toward an electron transport layer with the increase in the applied bias. Our work provides a practical method for identifying the excess carrier in blue QLEDs, and it could be applied to other types of QLEDs.
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