Study on the interfaces between Si and SiGe in the epitaxial in-situ Boron-Doped SiGe/Si layers treated with H or Cl

材料科学外延原位硼兴奋剂硅硅锗光电子学纳米技术图层（电子）化学有机化学

作者

Seonwoong Jung,Dongmin Yoon,Seokmin Oh,Hyerin Shin,Jung-Woo Kim,Dae‐Hong Ko

出处

期刊：Applied Surface Science [Elsevier BV]
日期：2025-01-30 卷期号：690: 162553-162553 被引量：2

标识

DOI：10.1016/j.apsusc.2025.162553

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