成核
动力学蒙特卡罗方法
蒙特卡罗方法
动能
不稳定性
统计物理学
量子点
材料科学
锗
物理
化学物理
凝聚态物理
纳米技术
硅
热力学
量子力学
数学
光电子学
统计
作者
Paramita Ghosh,Nidhi Gupta,Monika Dhankhar,Madhav Ranganathan
摘要
Kinetic Monte Carlo simulations of the growth of Ge on Si(001) indicate self-assembled quantum dot formation via nucleation at 500 K and instability at 600 K.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI