The application of scanning tunneling microscopy to the study of molecular beam epitaxy

分子束外延 扫描隧道显微镜 材料科学 显微镜 外延 光电子学 光学 纳米技术 物理 图层(电子)
作者
M. D. Pashley
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:99 (1-4): 473-481 被引量:16
标识
DOI:10.1016/0022-0248(90)90567-5
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