Integration of green CuInS_2/ZnS quantum dots for high-efficiency light-emitting diodes and high-responsivity photodetectors

量子点 光电子学 材料科学 光电探测器 响应度 电致发光 制作 发光二极管 二极管 量子效率 三元运算 探测器 光电二极管 发光效率
作者
Feng Li,Chenyang Guo,Rui Pan,Yaoyao Zhu,Lai You,Jun Wang,Xiao Jin,Qin Zhang,Yinglin Song,Zhongping Chen,Qinghua Li
出处
期刊:Optical Materials Express [Optica Publishing Group]
卷期号:8 (2): 314-314 被引量:24
标识
DOI:10.1364/ome.8.000314
摘要

Ternary I–III–VI quantum dots (QDs) have been regarded as an alternative to Cd- and Pb-based QDs because of their appealing optoelectronic properties and their deficiency in highly toxic components. In this paper, we present the synthesis of highly luminous and emission-tunable CuInS2/ZnS core/shell QDs and their application to the fabrication of highly efficient electroluminescent QD light-emitting diodes (QLEDs). To evaluate the possibility of applying CuInS2/ZnS QDs to photodetectors (PDs), the CuInS2/ZnS-graphene hybrid PDs with a high-responsivity were successfully constructed for the first time. In this study, QLEDs based on the as-prepared CuInS2/ZnS core/shell QDs exhibited a high external quantum efficiency of 3.36% at a forward current of 2.8 V, which is higher than that of CuInS2-based electroluminescent QLEDs reported previously. The resulting PD exhibited a surprisingly high responsivity of 35 A/W. CuInS2/ZnS QDs provide new opportunities for the fabrication of non-toxic QLEDs and PDs exhibiting high performances and are promising for future applications in the field of optoelectronic devices.
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