Invitation to the World of the Plasma for Light Sources 4.Light Source for 21st Century 4.1 EUV (Extreme Ultra-Violet) Light Source

作者
Kazuaki Hotta
出处
期刊:プラズマ・核融合学会誌 卷期号:81 (12): 1007-1009 被引量:1
标识
DOI:10.1585/jspf.81.1007
摘要

EUV lithography with a 13.5nm EUV (Extreme ultra-violet) light source is the strongest candidate of the next generation lithography for LSI. EUV is obtained from a high temperature and high density plasma by DPP (Discharge Produce Plasma) and LPP (Laser Produced Plasma).

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