Proposal and evaluation of Mg2Si-based vertical tunnel field effect transistor for enhanced performance

隧道场效应晶体管 场效应晶体管 领域(数学) 晶体管 材料科学 光电子学 计算机科学 电气工程 工程类 数学 电压 纯数学
作者
Akhilesh Chauhan,Rahul Nautiyal,Varun Mishra,Lucky Agarwal
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:308: 117557-117557
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2024.117557
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