In situ P-doping induced Se vacancies enhance the supercapacitor performance of NiCo 2 Se 4

兴奋剂 原位 超级电容器 材料科学 光电子学 纳米技术 化学工程 化学 物理化学 电极 电容 有机化学 工程类
作者
Miaomiao Wang,Weizhe Liu,Li Zhang,Huanli Liu,Xiao Yang
出处
期刊:CrystEngComm [Royal Society of Chemistry]
卷期号:26 (16): 2197-2206 被引量:7
标识
DOI:10.1039/d4ce00048j
摘要

In this paper, we report the synthesis of P-doped NiCo 2 Se x nanomaterials with rich Se vacancies induced by P doping, which greatly improves the supercapacitor performance of electrode materials.
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