Effects of O2 Surface Treatment on Device Performance of AlGaN/GaN HEMTs with In Situ Crystalline SiN Cap Layer

材料科学 原位 图层(电子) 光电子学 高电子迁移率晶体管 宽禁带半导体 晶体管 复合材料 电气工程 化学 工程类 电压 有机化学
作者
Xin Luo,T. Y. Zhang,Peng Cui,Handoko Linewih,Kaifa Qi,Xinkun Yan,Siheng Chen,Liu Wang,Jiacheng Dai,Zhaojun Lin,Xiangang Xu,Jisheng Han
出处
期刊:ACS applied electronic materials [American Chemical Society]
标识
DOI:10.1021/acsaelm.5c01428
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