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作者
Fan Zhao,Yi‐Lin Wu,Yanzhu Dai,Guangliang Hu,Ming Liu,Runlong Gao,Linyue Liu,Xin Liu,Yonghong Cheng,Tian‐Yi Hu,Chunrui Ma,Dengwei Hu,Xiaoping Ouyang,Chun-Lin Jia
摘要
The energy storage density and thermal stability of silicon-based lead-free BZTS film capacitors are greatly improved by inserting a high resistance dielectric HfO2 buffer layer between the BZTS thin film and the Si substrate.
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