Textured Stainless Steel as a Platform for Black Mg2Si/Si Heterojunction Solar Cells with Advanced Photovoltaic Performance

材料科学 异质结 光电子学 蚀刻(微加工) 图层(电子) 太阳能电池 基质(水族馆) 化学工程 复合材料 工程类 海洋学 地质学
作者
A. V. Shevlyagin,Vladimir M. Il’yaschenko,Aleksandr A. Kuchmizhak,Eugeny Mitsai,Andrey Amosov,S. A. Balagan,Sergei A. Kulinich
出处
期刊:Materials [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:15 (19): 6637-6637 被引量:7
标识
DOI:10.3390/ma15196637
摘要

This paper reports on a facile bottom-up method for the direct integration of a silicon (Si)-magnesium silicide (Mg2Si) heterojunction solar cell (HSC) with a textured rear reflector made of stainless steel (SS). Modified wet chemical etching and post processing of SS substrates resulted in the formation of both a rough surface texture and diffusion barrier layer, consisting of magnetite (Fe3O4) with reduced optical reflection. Then, Si, Mg2Si and CaSi2 layers were stepwise thermally evaporated onto the textured SS surface. No traces of Fe and Cr silicide phases were detected by Raman spectroscopy, confirming effective suppression of impurity diffusion from the SS to the upper layers at least at temperatures required for Si deposition, as well as Mg2Si and CaSi2 formation. The obtained black-SS/Fe3O4/Si/Mg2Si/CaSi2 sample preserved, to some extent, its underlying textured morphology and demonstrated an averaged reflection of 15% over the spectral range of 200-1800 nm, while its prototype HSC possessed a wideband photoresponse with a photoelectric conversion efficiency of 7.5% under AM1.5 illumination. Moreover, Si layers deposited alone onto a black-SS substrate demonstrated competitive antireflection properties compared with black Si (b-Si) obtained by traditional top-down etching approaches, and hybrid b-Si/textured-SS structures with a glue-bonded interlayer.

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