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作者
E. Chikoidze,Corinne Sartel,Hagar Mohamed,Ismail Madaci,Tamar Tchelidze,M. Modreanu,Pablo Vales‐Castro,C. Rubio,Christophe Arnold,Vincent Sallet,Yves Dumont,Amador Pérez‐Tomás
摘要
Strongly compensated Ga2O3 is shown to be an intrinsic (or native) p-type conductor with the largest bandgap for any reported p-type transparent semiconductor oxide which may shift the frontiers in fields such as power electronics and photonics.
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