Near-infrared Phosphor BaY<sub>2</sub>Al<sub>2</sub>Ga<sub>2</sub>SiO<sub>12</sub>∶Cr<sup>3+</sup> with Excellent Thermal Stability and Considerable Quantum Efficiency

è¿‘å¹´æ¥ï¼Œè¿‘çº¢å¤–è§å ‰ç²‰è½¬æ¢å‘å ‰äºŒæžç®¡ï¼ˆNIR pc⁃LEDï¼‰åœ¨å¤œè§†ã€ç”Ÿç‰©æˆåƒå’Œæ— æŸæ£€æµ‹ç­‰é¢†åŸŸå¼•èµ·äº†å¹¿æ³›å ³æ³¨ã€‚ç„¶è€Œï¼ŒèŽ·å¾—å ¼å ·é«˜é‡å­æ•ˆçŽ‡å’Œä¼˜å¼‚çƒ­ç¨³å®šæ€§çš„è¿‘çº¢å¤–è§å ‰ç²‰ä»ç„¶æ˜¯ä¸€ä¸ªå·¨å¤§æŒ‘æˆ˜ã€‚æœ¬æ–‡åˆ©ç”¨é«˜æ¸©å›ºç›¸æ³•åˆæˆäº†ä¸€ç§æ–°åž‹è¿‘çº¢å¤–è§å ‰ç²‰BaY₂Al₂Ga₂SiO₁₂∶Cr³⁺（BYAGSO∶Cr³⁺ï¼‰ï¼Œå¹¶ç³»ç»Ÿç ”ç©¶äº†ææ–™çš„ç»“æž„å’Œå‘å ‰æ€§è´¨ã€‚åœ¨440 nmè“å ‰æ¿€å‘ä¸‹ï¼ŒBYAGSO∶Cr³⁺è§å ‰ç²‰çš„å‘å°„å ‰è°±åœ¨650~850 nmèŒƒå›´å† å‘ˆçŽ°é”çº¿å’Œå®½å¸¦çš„æ··åˆå‘å°„ï¼ŒæºäºŽCr³⁺：²E→⁴A₂自旋禁戒跃迁和⁴T₂→⁴A₂è‡ªæ—‹å è®¸è·ƒè¿å‘å°„ã€‚è¯¥è¿‘çº¢å¤–å‘å ‰è¡¨çŽ°å‡ºå¯è§‚çš„é‡å­æ•ˆçŽ‡å’Œè‰¯å¥½çš„çƒ­ç¨³å®šæ€§ï¼Œæœ€ä¼˜åŒ–æ ·å“çš„å¤–é‡å­æ•ˆçŽ‡å¯è¾¾30.3%，在200 â„ƒæ—¶æ ·å“çš„å‘å ‰å¼ºåº¦å¯ä¿æŒå ¶åœ¨å®¤æ¸©æ—¶å¼ºåº¦çš„99%。通过将BYAGSO∶Cr³⁺è§å ‰ç²‰ä¸Ž450 nmè“å ‰LEDèŠ¯ç‰‡ç»“åˆï¼Œæˆ‘ä»¬å°è£ äº†ä¸€ä¸ªNIR pc⁃LED器件。该器件在300 mA驱动电流下，输出功率为70.83 mW；在20 mAé©±åŠ¨ç”µæµä¸‹ï¼Œå ‰ç”µè½¬æ¢æ•ˆçŽ‡ä¸º11.20%ã€‚ç ”ç©¶ç»“æžœè¡¨æ˜Žï¼ŒBYAGSO∶Cr³⁺在NIR pc⁃LEDé¢†åŸŸå ·æœ‰è‰¯å¥½çš„åº”ç”¨å‰æ™¯ã€‚