电阻随机存取存储器
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作者
Tong Tong,Chang Liu,Jing Xu,Huihua Min,Su Chen,Yinong Lyu,Chongguang Lyu
摘要
We report the resistive memory devices based on rare earth halide double perovskite Cs 2 AgEuBr 6 films which demonstrate a typical random-access memory (ReRAM) behavior with high ON/OFF ratio and long retention time.
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