位错
材料科学
光电子学
还原(数学)
带隙
宽禁带半导体
合金
复合材料
几何学
数学
作者
David Maria Tobaldi,Luc Lajaunie,Arianna Cretì,Massimo Cuscunà,Iolena Tarantini,Marco Esposito,Gianluca Balestra,Mauro Lomascolo,A. Passaseo,Vittorianna Tasco
出处
期刊:CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:26 (26): 3475-3482
被引量:3
摘要
The ultrawide-bandgap AlGaN alloy system shows great potential for advancing the next generation of UV optoelectronic devices.
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