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Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach

材料科学 掺杂剂 Crystal(编程语言) 增长率 晶体缺陷 晶体生长 结晶学 化学物理 理论(学习稳定性) 拉伤 化学 数学 光电子学 计算机科学 几何学 兴奋剂 医学 机器学习 内科学 程序设计语言
作者
K.J. Kang,Tai-Hee Eun,Myong-Chul Jun,Byeong‐Joo Lee
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:389: 120-133 被引量:62
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2013.12.007
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