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作者
J.G. Simmons,G.W. Taylor
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期：1987-04-09
卷期号：23 (8): 380-382
被引量：3
摘要
A complementary inverter configuration based on two new heterostructure field-effect devices is proposed. The FETs are fabricated in a common substrate grown by molecular-beam epitaxy. The devices rely on the formation of inversion layers at heterojunction interfaces.
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