Tuning Hot-Carrier Temperature in CsPbBr3 Perovskite Nanoplatelets through Metal Halide Passivation

卤化物 钝化 钙钛矿(结构) 材料科学 金属 无机化学 光电子学 化学工程 纳米技术 化学 冶金 图层(电子) 工程类
作者
Srimanta Gogoi,Saikat Das,Ruchir Gupta,Sachin Verma
出处
期刊:Journal of Physical Chemistry Letters [American Chemical Society]
卷期号:16 (15): 3832-3839 被引量:2
标识
DOI:10.1021/acs.jpclett.5c00273
摘要

High carrier temperature and slow carrier cooling make perovskite nanostructures potential candidates for hot-carrier solar cells. Here, using time-resolved photoluminescence spectroscopy, hot-carrier dynamics is reported in strongly confined three-monolayer quasi-2D CsPbBr3 perovskite nanoplatelets characterized by sharp excitonic peaks in the absorption spectrum and narrow emission peaks in the blue region. Treatment with a PbBr2-ligand solution resulted in a remarkable seven-fold increase in photoluminescence intensity, attributed to effective passivation of surface defects due to lead(II) and bromide vacancies. Further investigations using time-resolved emission spectroscopy revealed consistent carrier cooling times of ∼300 fs for both pristine and treated nanoplatelets, indicating similar fundamental hot-carrier cooling processes. Notably, treated nanoplatelets exhibited higher carrier temperature (∼700 K), linked to increased radiative carrier density after defect passivation. This work demonstrates that treatment of quasi-2D CsPbBr3 perovskite nanoplatelets with metal halides substantially improves the optoelectronic properties. Notably, hot-carrier temperatures can be increased significantly while preserving the cooling time.
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