The impact of mold compound on power cycling capability of SiC MOSFETs in double sided cooled modules

模具 材料科学 自行车 动力循环 功率(物理) 核工程 光电子学 电气工程 复合材料 工程类 可靠性(半导体) 物理 量子力学 历史 考古
作者
T. Lentzsch,Josef Lutz,Thomas Basler
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:167: 115655-115655 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2025.115655
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