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作者
Dain Sung,Hyunwoo Tak,Heeju Kim,Dongwoo Kim,Kyongnam Kim,G.Y. Yeom
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2024-01-01
卷期号：16 (30): 14433-14440
被引量：2
摘要
This study aimed to evaluate the SiO 2 atomic layer etching (ALE) process that is selective to Si 3 N 4 based on the physisorption of high boiling point perfluorocarbons (HBP PFCs; C 5 F 8 , C 7 F 14 , C 6 F 6 , and C 7 F 8 have boiling points above room temperature).
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