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作者
Pan Zhao,Songhan Zhao,Yandong He,Gang Du
标识
DOI：10.1109/icsict55466.2022.9963426
摘要
In this paper, the three-dimensional 3nm node transistors are calculated by electro-thermal coupling using the TCAD simulation platform, and the thermal response characteristics of FinFETs and GAAFETs are analyzed and compared using the three-dimensional finite element simulation software. Besides, the heat dissipation path of the device is analyzed to provide guidance for the subsequent research.
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