Toward Ideal Low‐Frequency Noise in Monolayer CVD MoS2 FETs: Influence of van der Waals Junctions and Sulfur Vacancy Management

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作者
Wonjun Shin,Junsung Byeon,Ryun‐Han Koo,Jungmoon Lim,Jung Hyeon Kang,A‐Rang Jang,Jong‐Ho Lee,Jae‐Joon Kim,SeungNam Cha,Sangyeon Pak,Sung‐Tae Lee
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
卷期号:11 (28): e2307196-e2307196 被引量:20
标识
DOI:10.1002/advs.202307196
摘要

FETs. This study underscores the necessity of refining excess noise, heralding improved performance and reliability of 2D electronic devices.
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