Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications

材料科学 兴奋剂 光电子学 带隙 退火(玻璃) 半导体 直接和间接带隙 激光器 微晶 复合材料 光学 冶金 物理
作者
Rahmat Hadi Saputro,Tatsuro Maeda,Ryo Matsumura,Naoki Fukata
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:162: 107516-107516 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107516
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