Design of high stability, low power and high speed 12 T SRAM cell in 32-nm CNTFET technology

静态随机存取存储器 碳纳米管场效应晶体管 晶体管 访问时间 计算机科学 电子工程 工程类 计算机硬件 电气工程 场效应晶体管 电压
作者
E. Mani,Erfan Abbasian,Muthukumaran Gunasegeran,Sobhan Sofimowloodi
出处
期刊:Aeu-international Journal of Electronics and Communications [Elsevier BV]
卷期号:154: 154308-154308 被引量:44
标识
DOI:10.1016/j.aeue.2022.154308
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