Ion implantation in group III-nitride semiconductors: a tool for doping and defect studies

离子注入 掺杂剂 兴奋剂 杂质 材料科学 退火(玻璃) 半导体 氮化物 离子 光电子学 纳米技术 工程物理 化学 冶金 图层(电子) 有机化学 工程类
作者
J.C. Zolper
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:178 (1-2): 157-167 被引量:79
标识
DOI:10.1016/s0022-0248(97)00076-6

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