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Homogenous Sn-doped K(Ta,Nb)O3 single crystals and its high piezoelectric response

材料科学 压电 四方晶系 电介质 兴奋剂 相变 单晶 Crystal(编程语言) 凝聚态物理 极化 铁电性 晶体结构 光电子学 结晶学 复合材料 化学 物理 计算机科学 程序设计语言
作者
Fengying Liu,Yuanyuan Zhang,Limei Zheng,Gang Tian,Juan Du,Le Zhao,Xudong Chen,Xuping Wang,Minglei Zhao
出处
期刊:Journal of Materiomics [Elsevier BV]
卷期号:8 (3): 702-709 被引量:10
标识
DOI:10.1016/j.jmat.2021.11.001
摘要

Perovskite K(Ta,Nb)O3 (KTN) single crystal has drawn great interests for its outstanding electro-optic performance and excellent piezoelectric response. However, growth of compositionally uniform KTN single crystals has always been a great challenge for the great segregation difference between Nb and Ta. In this work, we propose a thermal field optimization strategy to resolve this challenge. Homogenous Sn doped KTN (Sn:KTN) single crystal with significantly reduced composition gradient (0.003 mol/mm, 1/4–1/8 of other KTN system), minimal TC variation (13 °C) and excellent piezoelectric and dielectric response (d33 = 373 pC/N and ε33T = 5206) has been successfully achieved. We found that the functional properties of Sn:KTN were greatly affected by the near-room temperature tetragonal-cubic phase transition. From the intrinsic aspect, longitudinal lattice deformation becomes much easier, resulting in maximum piezoelectric (d33∗), dielectric (ε33T∗), elastic (s33E∗)and electromechanical coupling (k33∗) coefficients along polar direction [001]C. From the extrinsic aspect, both domain wall density and domain wall mobility are greatly improved for the reduced lattice distortion, which also contribute a lot to the functional properties. This work provides a simple and practical route for designing and growing high quality crystals, and more importantly, reveals the fundamental mechanism of the phase transitions/boundaries on the functional properties.

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