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作者
Olivier Trescases,Samantha K. Murray,Wan Jiang,Mohammad Shawkat Zaman
标识
DOI:10.1109/iedm13553.2020.9371918
摘要
This paper reviews monolithic GaN integration for power ICs, focusing on current technological capabilities. We highlight key opportunities for integrating low-voltage circuits alongside power devices to support converter operation. Simulations and experimental results from the imec 200 V GaN-on-SOI and ON Semiconductor 650 V GaN-on-Si processes provide quantitative insights for digital and analog circuitry.
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