Numerical modeling study on the epitaxial growth of silicon from dichlorosilane

二氯硅烷 薄脆饼 化学气相沉积 体积流量 机械 外延 材料科学 流量(数学) 化学 热力学 图层(电子) 光电子学 纳米技术 物理
作者
Imama Zaidi,Yeon-Ho Jang,Dong Guk Ko,Ik–Tae Im
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:483: 1-8 被引量:14
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2017.11.009
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