Surprisingly good thermoelectric performance of monolayer C3N

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作者
Wang Jiao,Rui Hu,S H Han,Yu-Qing Luo,Hongmei Yuan,M K Li,Huijun Liu
出处
期刊:Nanotechnology [IOP Publishing]
卷期号:33 (4): 045401-045401 被引量:9
标识
DOI:10.1088/1361-6528/ac302c
摘要

The rapid emergence of graphene has attracted numerous efforts to explore other two-dimensional materials. Here, we combine first-principles calculations and Boltzmann theory to investigate the structural, electronic, and thermoelectric transport properties of monolayer C3N, which exhibits a honeycomb structure very similar to graphene. It is found that the system is both dynamically and thermally stable even at high temperature. Unlike graphene, the monolayer has an indirect band gap of 0.38 eV and much lower lattice thermal conductivity. Moreover, the system exhibits obviously larger electrical conductivity and Seebeck coefficients for the hole carriers. Consequently, theZTvalue ofp-type C3N can reach 1.4 at 1200 K when a constant relaxation time is predicted by the simple deformation potential theory. However, such a largerZTis reduced to 0.6 if we fully consider the electron-phonon coupling. Even so, the thermoelectric performance of monolayer C3N is still significantly enhanced compared with that of graphene, and is surprisingly good for low-dimensional thermoelectric materials consisting of very light elements.

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