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MoS2 Photoelectrodes for Hydrogen Production: Tuning the S-Vacancy Content in Highly Homogeneous Ultrathin Nanocrystals

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作者
Nuria Jiménez-Arévalo,Jinan H. Al Shuhaib,Rodrigo Bautista Pacheco,Dario Marchiani,Mahmoud Mohamed Saad Abdelnabi,Riccardo Frisenda,Marco Sbroscia,Maria Grazia Betti,Carlo Mariani,Yolanda Manzanares-Negro,Cristina Gómez‐Navarro,Antonio J. Martínez‐Galera,J.R. Ares,Isabel J. Ferrer,Fabrice Leardini
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:15 (28): 33514-33524 被引量:6
标识
DOI:10.1021/acsami.3c02192
摘要

Tuning the electrocatalytic properties of MoS2 layers can be achieved through different paths, such as reducing their thickness, creating edges in the MoS2 flakes, and introducing S-vacancies. We combine these three approaches by growing MoS2 electrodes by using a special salt-assisted chemical vapor deposition (CVD) method. This procedure allows the growth of ultrathin MoS2 nanocrystals (1-3 layers thick and a few nanometers wide), as evidenced by atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. This morphology of the MoS2 layers at the nanoscale induces some specific features in the Raman and photoluminescence spectra compared to exfoliated or microcrystalline MoS2 layers. Moreover, the S-vacancy content in the layers can be tuned during CVD growth by using Ar/H2 mixtures as a carrier gas. Detailed optical microtransmittance and microreflectance spectroscopies, micro-Raman, and X-ray photoelectron spectroscopy measurements with sub-millimeter spatial resolution show that the obtained samples present an excellent homogeneity over areas in the cm2 range. The electrochemical and photoelectrochemical properties of these MoS2 layers were investigated using electrodes with relatively large areas (0.8 cm2). The prepared MoS2 cathodes show outstanding Faradaic efficiencies as well as long-term stability in acidic solutions. In addition, we demonstrate that there is an optimal number of S-vacancies to improve the electrochemical and photoelectrochemical performances of MoS2.
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