Heterojunction channel engineering for enhanced mobility and stability of solution-processed holmium-doped indium oxide thin film transistors

材料科学 异质结 薄膜晶体管 光电子学 电子迁移率 兴奋剂 阈值电压 氧化物 晶体管 场效应 波段图 图层(电子) 纳米技术 电压 电气工程 冶金 工程类
作者
Zeneng Deng,Zhihao Liang,Yuexin Yang,Qiannan Ye,Honglong Ning,Xianzhe Liu,Zhenchao Li,Dongxiang Luo,Rihui Yao,Junbiao Peng
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:184: 108776-108776
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2024.108776

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