Notch2 signaling governs activated B cells to form memory B cells

细胞生物学 信号转导 化学 生物
作者
Tingting Xu,Tianyu Zhang,Chuqiao Xu,Fang Yang,Wenqian Zhang,Chuanxin Huang
出处
期刊:Cell Reports [Cell Press]
卷期号:43 (7): 114454-114454 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.celrep.2024.114454
摘要

Memory B cells (MBCs) are essential for humoral immunological memory and can emerge during both the pre-germinal center (GC) and GC phases. However, the transcription regulators governing MBC development remain poorly understood. Here, we report that the transcription regulator Notch2 is highly expressed in MBCs and their precursors at the pre-GC stage and required for MBC development without influencing the fate of GC and plasma cells. Mechanistically, Notch2 signaling promotes the expression of complement receptor CD21 and augments B cell receptor (BCR) signaling. Reciprocally, BCR activation up-regulates Notch2 surface expression in activated B cells via a translation-dependent mechanism. Intriguingly, Notch2 is dispensable for GC-derived MBC formation. In summary, our findings establish Notch2 as a pivotal transcription regulator orchestrating MBC development through the reciprocal enforcement of BCR signaling during the pre-GC phase and suggest that the generation of GC-independent and -dependent MBCs is governed by distinct transcriptional mechanisms.
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