Failure analysis of heavy ion-irradiated silicon carbide junction barrier Schottky diodes

肖特基势垒 材料科学 碳化硅 光电子学 肖特基二极管 透射电子显微镜 辐照 金属半导体结 二极管 复合材料 纳米技术 物理 核物理学
作者
Shuang Cao,Qingkui Yu,Qianyuan Wang,He Wang,Yi Sun,He Lv,Bo Mei,Rigen Mo,Pengwei Li,Hongwei Zhang
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:157: 115401-115401 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2024.115401
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