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Unraveling the Organic and Inorganic Passivation Mechanism of ZnO Nanowires for Construction of Efficient Bulk Heterojunction Quantum Dot Solar Cells

钝化 材料科学 量子点 异质结 纳米线 硫化锌 能量转换效率 光伏系统 光电子学 纳米技术 图层(电子) 冶金 生态学 生物
作者
Yuyao Wei,Mako Nakamura,Chao Ding,Dong Liu,Hua Li,Yusheng Li,Yongge Yang,Dandan Wang,Ruixiang Wang,Shuzi Hayase,Taizo Masuda,Qing Shen
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:14 (31): 36268-36276 被引量:13
标识
DOI:10.1021/acsami.2c10508
摘要

Zinc oxide (ZnO) nanowire (NW) based lead sulfide (PbS) quantum dot solar cells (QDSCs), i.e., bulk heterojunction QDSCs, have been widely investigated because of the excellent photoelectronic properties of PbS QDs and ZnO NWs. To further improve the efficiency of this type of QDSCs, various passivation methods are applied to ZnO NWs to suppress interface recombination caused by trap defects. However, the comparison among passivation using organic, inorganic, and inorganic-organic hybrid materials with different properties has been less studied. In this work, the effect of passivation with inorganic Mg-doped ZnO (ZMO), organic 1,2-ethanedithiol (EDT) and both of them on ZnO NWs and PbS QDSCs are investigated. As a result, ZnO NWs purely passivated by organic material EDT show the best performance with fewer surface defects and better matched energy level with the PbS QD layer. A nearly 1.7 times larger power conversion efficiency (PCE) of 6.9% is achieved for the solar device using ZnO NW @EDT, compared with that (4.1%) of the untreated one. The work provides a promising way to impede interlayer charge recombination and facilitate carrier transport, thus enhancing the photovoltaic performance of the device.
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