Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology

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作者
Hushan Cui,Jun Luo,Jing Xu,Jianfeng Gao,Jinjuan Xiang,Zhaoyun Tang,Xiaolei Wang,Yihong Lu,Xiaobin He,Tingting Li,Bo Tang,Jiahan Yu,Tao Yang,Jiang Yan,Junfeng Li,Chao Zhao,Tianchun Ye
出处
期刊:Vacuum [Elsevier BV]
卷期号:119: 185-188 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.vacuum.2015.05.021
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