Tunable hafnium-doped InZnO thin film transistors via plasma-enhanced atomic layer deposition

材料科学 原子层沉积 光电子学 兴奋剂 图层(电子) 钝化 X射线光电子能谱 阈值电压 薄膜晶体管 退火(玻璃) 沉积(地质) 氧化物 氧气 阈下摆动 晶体管 共发射极 空位缺陷 阈下传导 电压 电极
作者
Jiong Liu,Sheng Han,Yu Zhang,Jingxuan Wei,Bojia Chen,Runzhou Li,Pei Yan,Jiangquan Kuang,Xinming Wu,Xinming Wu,Xuefeng Wu,Xuefeng Wu,Rongxu Bai,David W. Zhang,Qingqing Sun,Li Ji,Shen Hu
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:201: 110039-110039 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2025.110039
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