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作者
Lu Zhang,Haiyang Hong,Yisen Wang,Cheng Li,Guangyang Lin,Songyan Chen,Wei Huang,Jianyuan Wang
出处
期刊：Chinese Physics B
[IOP Publishing]
日期：2017-10-01
卷期号：26 (11): 116802-116802
被引量：16
标识
DOI：10.1088/1674-1056/26/11/116802
摘要
Formation of high-Sn content polycrystalline GeSn films by pulsed laser annealing on co-sputtered amorphous GeSn on Ge substrate* , Zhang, Lu, Hong, Hai-Yang, Wang, Yi-Sen, Li, Cheng, Lin, Guang-Yang, Chen, Song-Yan, Huang, Wei, Wang, Jian-Yuan
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