Anisotropic Carrier Transport in SiC Trench MOSFETs With SiO 2 /Al 2 O 3 Gate Dielectrics

材料科学光电子学沟槽电介质 MOSFET 碳化硅各向异性栅极电介质电子工程宽禁带半导体硅锌化合物电子迁移率逻辑门场效应晶体管电击穿电气工程高-κ电介质随时间变化的栅氧化层击穿

作者

Jinyi Xu,Zhanwei Shen,Xuan Tang,Yu Huang,Yang Zhang,Shizhong Yue,Feng Zhang

出处

期刊：IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2025-01-01 卷期号：: 1-8

标识

DOI：10.1109/ted.2025.3645725

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