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Dynamic Threshold Voltage Drift of Silicon Carbide MOSFET With Drain Stress

碳化硅 MOSFET 材料科学 阈值电压 压力（语言学） 光电子学 电压 硅 工程物理 电子工程 电气工程 晶体管 复合材料 工程类 语言学 哲学
作者
Huaping Jiang,Yao Li,Xinxin Li,M. Qiu,Nianlei Xiao,Lei Tang,Xiaohan Zhong,Ruijin Liao
出处
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2025-07-31 卷期号：72 (9): 4802-4809
标识
DOI：10.1109/ted.2025.3592639
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