Performance enhancement of InSnZnO thin-film transistors by dual-active-layer architecture with various oxygen flow rates

薄膜晶体管 阈值电压 材料科学 光电子学 氧气 晶体管 同质结 溅射 偏压 电压 阈下传导 电子迁移率 体积流量 氧化物 电流(流体) 阈下摆动 纳米技术 阈下斜率
作者
Jinbao Su,Yaobin Ma,Yihong Liu,Yiyang Xie
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:302: 112403-112403 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mee.2025.112403
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