Source Pad Design Tradeoffs for a Power TrenchFET

铜互连 功率(物理) 优化设计 引线键合 物理设计 工程类 机械工程 电子工程 汽车工程 可靠性工程 材料科学 电气工程 计算机科学 电路设计 复合材料 冶金 物理 机器学习 炸薯条 量子力学
作者
B. Williams,Robert Ragland Davis,E. William Cowell,Justin Yerger,B. Greenwood,Troy Ruud
出处
期刊:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing [IEEE Computer Society]
卷期号:35 (3): 439-445 被引量:2
标识
DOI:10.1109/tsm.2022.3190961
摘要

This paper will demonstrate wirebond pad design considerations for the source pad of a power trenchFET using three levels of metal. There will be a discussion of how the pad design will impact the pad mechanical strength through the bonding process. Both Aluminum-Copper (AlCu) and Damascene Copper power metals have been investigated. There will also be a comparison of bondpad design to electrical simulation results. An optimal design can be obtained by an analysis of these tradeoffs. Finally, the proposed designs have been built on silicon and evaluated both mechanically and electrically concluding with the best design found for this application.
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