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MoS2/Epitaxial graphene layered electrodes for solid-state supercapacitors

材料科学 超级电容器 石墨烯 储能 电容 过渡金属 纳米技术 电极 电导率 光电子学 碳化硅 复合材料 催化作用 功率(物理) 化学 物理 生物化学 物理化学 量子力学
作者
Mojtaba Amjadipour,Jonathan Bradford,Negar Zebardastan,Nunzio Motta,Francesca Iacopi
出处
期刊:Nanotechnology [IOP Publishing]
卷期号:32 (19): 195401-195401 被引量:4
标识
DOI:10.1088/1361-6528/abe1f1
摘要

The potential of transition metal dichalcogenides such as MoS2 for energy storage has been significantly limited so far by the lack of conductivity and structural stability. Employing highly conductive, graphitic materials in combination with transition metal dichalcogenides can address this gap. Here, we explore the use of a layered electrode structure for solid-state supercapacitors, made of MoS2 and epitaxial graphene (EG) on cubic silicon carbide for on-silicon energy storage. We show that the energy storage of the solid-state supercapacitors can be significantly increased by creating layered MoS2/graphene electrodes, yielding a substantial improvement as compared to electrodes using either EG or MoS2 alone. We conclude that the conductivity of EG and the growth morphology of MoS2 on graphene play an enabling role in the successful use of transition metal dichalcogenides for on-chip energy storage.
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