Recent Progress in Black‐Phosphorus‐Based Heterostructures for Device Applications

磷烯 异质结 黑磷 悬空债券 石墨烯 纳米技术 材料科学 半导体 范德瓦尔斯力 光电子学 晶体管 工程物理 物理 电气工程 工程类 量子力学 电压 分子
作者
Zhibin Yang,Jianhua Hao
出处
期刊:Small methods [Wiley]
卷期号:2 (2) 被引量:64
标识
DOI:10.1002/smtd.201700296
摘要

Abstract The rise of 2D layered materials has inspired luxuriant research interests in the development of novel nanodevices. Thanks to van der Waals interlayer forces and being free of dangling surface bonds, 2D materials are favorable for constructing vertical heterostructures by combining materials with different features. In recent years, ultrathin black phosphorus (BP) has been rediscovered as a new member of the 2D family and is attracting significant research attention due to its outstanding electronic properties and tunable bandgaps, which offers a new avenue for the creation of novel 2D heterostructures. Here, the recent development of heterostructured architectures based on 2D BP nanosheets is summarized with an emphasis on device characterizations. Stacks of phosphorene with graphene, semiconductors, or insulators are reviewed, along with methods to characterize the corresponding proof‐of‐concept devices, as well as potential opportunities for applications in the 2D limit, including transistors, optoelectronic devices, and sensors, with unprecedented functionalities. Finally, the challenges ahead of BP heterostructures are discussed and some future outlooks are suggested.
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