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Field-Tunable One-Sided Higher-Order Topological Hinge States in Dirac Semimetals

物理 铰链 量子霍尔效应 拓扑绝缘体 Dirac(视频压缩格式) 半金属 霍尔效应 量子反常霍尔效应 量子自旋霍尔效应 领域(数学) 量子隧道 对称(几何) 订单(交换) 凝聚态物理 拓扑(电路) 磁场 量子 拓扑序 量子力学 几何学 经典力学 带隙 数学 组合数学 中微子 财务 纯数学 经济
作者
Rui Chen,Tianyu Li,C. M. Wang,Hai‐Zhou Lu,Xiaoming Xie
出处
期刊:Physical Review Letters [American Physical Society]
卷期号:127 (6) 被引量:24
标识
DOI:10.1103/physrevlett.127.066801
摘要

Recently, higher-order topological matter and 3D quantum Hall effects have attracted a great amount of attention. The Fermi-arc mechanism of the 3D quantum Hall effect proposed to exist in Weyl semimetals is characterized by the one-sided hinge states, which do not exist in all the previous quantum Hall systems, and more importantly, pose a realistic example of the higher-order topological matter. The experimental effort so far is in the Dirac semimetal ${\mathrm{Cd}}_{3}{\mathrm{As}}_{2}$, where, however, time-reversal symmetry leads to hinge states on both sides of the top and bottom surfaces, instead of the aspired one-sided hinge states. We propose that under a tilted magnetic field, the hinge states in ${\mathrm{Cd}}_{3}{\mathrm{As}}_{2}$-like Dirac semimetals can be one sided, highly tunable by field direction and Fermi energy, and robust against weak disorder. Furthermore, we propose a scanning tunneling Hall measurement to detect the one-sided hinge states. Our results will be insightful for exploring not only the quantum Hall effects beyond two dimensions, but also other higher-order topological insulators in the future.

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