Recent Developments in Understanding the Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs

碳化硅 材料科学 MOSFET 光电子学 不稳定性 工程物理 逻辑门 电气工程 工程类 物理 晶体管 电压 冶金 机械
作者
Maximilian W. Feil,Katja Waschneck,H. Reisinger,Judith Berens,Thomas Aichinger,Sven Prigann,Gregor Pobegen,Paul Salmen,Gerald Rescher,Wolfgang Gustin,Tibor Grasser
标识
DOI:10.1109/iirw59383.2023.10477632

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