Three-Level Gate Drive for Crosstalk Suppression of GaN Devices With Low Reverse Conduction Loss

串扰 材料科学 热传导 光电子学 逻辑门 电子工程 电气工程 工程类 复合材料
作者
Yishun Yan,Lurenhang Wang,Mingcheng Ma,Xiaoqing Cai,Shuaiqing Zhi,Dianguo Xu
出处
期刊:IEEE Transactions on Power Electronics [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:40 (10): 14415-14424 被引量:1
标识
DOI:10.1109/tpel.2025.3572713
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