N-doped MoS2@indium tin oxide (ITO) core–shell nanowires for high-performance ammonium ion micro-supercapacitor

材料科学 超级电容器 二硫化钼 电极 纳米线 兴奋剂 电容 氧化铟锡 纳米技术 电化学 硫化物 光电子学 化学工程 复合材料 薄膜 化学 冶金 物理化学 工程类
作者
Yan Ding,Yuan Lin,Yuhao Zhang,Haiqing Jiang,Meixia Su,Erqing Xie,Zhenxing Zhang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:125 (6) 被引量:2
标识
DOI:10.1063/5.0220141
摘要

Ammonium (NH4+) ion aqueous supercapacitors have gained significant attention due to their notable cost-effectiveness, safety profile, and environmental benefits. Despite this, the optimization of the capacitive performance of electrode materials for NH4+ ion storage remains inadequate. To tackle these challenges, we present a composite electrode depend upon molybdenum disulfide (MoS2) and indium tin oxide nanowires (MoS2@ITO NWs) as the primary host for (NH4+) ions. Additionally, we introduce a straightforward radio frequency nitrogen (N) plasma technique to incorporate nitrogen doping into the MoS2 film, thereby enhancing its performance. The introduction of N plasma doping into two-dimensional MoS2 results in an expansion of the interlayer distance and an improvement in electronic conductivity. This, in turn, facilitates the facile and highly reversible insertion and extraction of NH4+ ions during cycling. Consequently, the N plasma doping significantly enhances the device areal capacitance of MoS2@ITO NWs, increasing it from 78.6 to 161.8 mF cm−2 at 1 mA cm−2, with an exceptional capacity retention (>89.2% after 10 000 cycles) and superior rate capability up to 10 mA cm−2. The integration N of atoms within the straightforward hierarchical core–shell design strategy exhibits promising prospects for bolstering the performance of metal sulfide electrodes and other high-capacity electrode materials aimed at energy storage applications.
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