Comparison of electrical, optical and structural properties of epitaxially grown HEMT's type AlGaN/AlN/GaN heterostructures on Al2O3, Si and SiC substrates

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作者
Mateusz Wośko,Adam Paszkiewicz,Tomasz Szymański,R. Paszkiewicz
出处
期刊:Superlattices and Microstructures [Elsevier BV]
卷期号:100: 619-626 被引量:15
标识
DOI:10.1016/j.spmi.2016.10.017
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