电阻随机存取存储器
镁
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作者
Nayan C. Das,Minjae Kim,Jarnardhanan R. Rani,Sung‐Min Hong,Jae‐Hyung Jang
出处
期刊:Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期:2022-01-01
卷期号:14 (10): 3738-3747
被引量:15
摘要
This study investigates the temperature-independent switching characteristics of magnesium fluoride (MgF x ) based bipolar resistive memory devices at temperatures ranging from 300 K down to 77 K.
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