Long-Term Lifetime Evolution Mechanism of 4H-SiC MOSFETs Under Nitric Oxide Annealing

退火(玻璃) 材料科学 期限(时间) MOSFET 光电子学 碳化硅 氧化物 电子工程 电气工程 物理 冶金 晶体管 工程类 电压 量子力学
作者
Yibo Zhang,Hao Yuan,Jingkai Guo,Haohang Yang,Yu Zhou,Fengyu Du,Yancong Liu,Keyu Liu,Chao Han,Qingwen Song,Xiaoyan Tang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (12): 7682-7688 被引量:6
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3482248
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